硅技术,离子注入与热处理

时间：2022-12-09 18:20:09 来源：正远范文网 本文已影响人

建立在半导体基础之上的电子元器件是所有电气及电子设备的核心，电子元器件赋予这些设备各种各样的功能：其中包括信息的收集、存储、传输及再现（照相机、电话、电视）、控制命令、辅助决策、安全等。

本书向新近进入硅制造厂环境的工程师们提供一个全面的背景，该背景涉及前端硅处理，诸如氧化、外延、离子注入与杂质扩散的基本物理与化学基础。同时给出了对用于集成电路（IC）芯片制造厂所使用的主要类型设备的评介。书中涉及的技术包括各种类型的化学气沉淀（CVD）、外延、薄膜技术、平板印刷术、掩蔽及其他纳米技术。

除了由编辑撰写的前言以外，本书的主要内容分成4章：1.硅与碳化硅氧化，主要内容包括各种氧化技术综述、硅的某些物理性质、氧化过程中原子迁移方程、是否有可能鉴别发生在氧化过程中的迁移机理？热氧化情况中的迁移方程、热氧化的Deal和Grove理论、硅水蒸气下的热氧化理论、小于30nm的氧化膜在氧气中生长的动力学、实验条件下氧化常数的起伏；2.离子注入，主要内容包括离子注入、离子量程、缺陷的产生与愈合、传统技术应用及新趋势；3.掺杂扩散：建模及技术挑战，主要内容包括固体中的扩散、单晶硅中的掺杂扩散、相关工程问题实例、锗中的掺杂扩散；4.变形Si/Si1xGex异质结构的外延，主要内容包括利用赝形体SiGe层的pMOSEFET晶体管沟道的工艺技术、利用赝形体Si1yCy层的nMOSFET晶体管沟道的工艺技术、SiGeC扩散壁垒、超薄SOI基片上Si提升源极和漏极的外延、嵌壁与提升SiGe的外延：超薄SOI和SON基片上的B源极和漏极、虚SiGe基片：sSOI基片和对偶cGe/tSi沟道的制造、用于纳米及光电子学的Si上的純Ge的薄、厚层、基于SiGe牺牲层的器件。

本书适用于电器工程、材料科学及制造业等相关专业的工程师，大学高年级学生同样也会对本书感兴趣。

胡光华，

退休高工

(原中国科学院物理学研究所)

Hu Guanghua, Senior Software Engineer

(Former Institute of Physics,CAS)

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