世界一流科技期刊文章精选
授课题组设计并研制出了新型的基于记忆二极管的三态内容寻址存储器（Ternary Content Addressable Memory，TCAM），相关论文被2018 Symposia on VLSI Technology and Circuits（简称VLSI Symposia）接收。研究团队提出并制备出了由记忆二极管阵列构成的非易失性三态寻址存储器。不同于当前主流研究中的内容寻址存储器，该研究提出的基于锗（Ge）基集成电路工艺的新型内容存储器与标准CMOST艺兼容，电路结构简单，基本器件尺寸可降低至10nm技术节点以下，减小了芯片面积，另外一个重要的特点是由于其非易失性与非线性，该技术在功耗问题上有重大突破。
磷光金属配合物超分子组装研究
中国科学院理化技术研究所光化学转换与合成研究中心陈勇研究员与南方科技大学化学系陆为教授合作，利用超分子组装的方法构筑了一系列强发光的金（1）卡宾双盐超分子聚集体，相关研究结果发表于《德国应用化学》。通过系统改变阴离子和阳离子的电子结构，利用阴离子到阳离子电荷转移跃迁对金属一金属间相互作用产生的d σ*pσ跃迁激发态进行调控，实现了金（1）卡宾双盐超分子聚集体发光从蓝光、绿光、红光到近红外光的全覆盖；通过多种阳离子和阴离子共组装或者分步组装（外延生长）的方法，实现精确调控金（1）卡宾双盐自组装材料的CIE坐标，获得强磷光发射的白光材料，发光量子产率达到73%。
两纳米超短沟道的压电电子学晶体管
中国科学院北京纳米能源与系统研究所王中林团队与西安电子科技大学秦勇教授合作，制备了一种新型的、沟道只有～2nm的超薄氧化锌压电电子学晶体管，首次将压电电子学效应引入到二维超薄非层状压电半导体材料中，研究论文发表于《美国化学会一纳米》。该研究系统地研究了二维超薄氧化锌垂直方向上的压电特性，利用金属一半导体界面处产生的压电极化电荷（即垂直方向上的压电电势）作为栅极电压有效地调控了该器件的载流子输运特性，并且通过将两个超薄压电电子学晶体管串联实现了简易的压力调控的逻辑电路。进一步究证实了压电极化电荷在超短沟道中“门控”效应的有效性。